11月22日，北京智芯微電子科技有限公司牽頭申報(bào)的項(xiàng)目《中高壓電力芯片退化失效機(jī)理及可靠性提升關(guān)鍵技術(shù)研究》及參與申報(bào)的項(xiàng)目《高效高密度電源隔離變壓器功率收發(fā)專用芯片關(guān)鍵技術(shù)研究》《大功率高密度無(wú)線充電SoC芯片關(guān)鍵技術(shù)研究》獲批國(guó)家自然科學(xué)基金區(qū)域創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)合基金項(xiàng)目。《中高壓電力芯片退化失效機(jī)理及可靠性提升關(guān)鍵技術(shù)研究》項(xiàng)目將開展多物理場(chǎng)下芯片退化機(jī)理研究、可靠性模型搭建及協(xié)同優(yōu)化設(shè)計(jì)方法研究，揭示電磁熱多物理場(chǎng)環(huán)境量值與芯片電參數(shù)退化之間的定量關(guān)系。這是智芯公司牽頭申報(bào)的項(xiàng)目首次獲批國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目。該公司參與申報(bào)的兩個(gè)項(xiàng)目將開展相關(guān)技術(shù)攻關(guān)。